В РФ разработан новый класс материалов для наноэлектроники

Специалисты Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" объявили о разработке нового класса материалов на основе кремния и германия, которые могут ускорить развитие наноэлектроники. Эти материалы представляют собой слоистые структуры, свойства которых можно изменять путем добавления или удаления слоев.

Одной из ключевых особенностей этих материалов является их совместимость с полупроводниковыми платформами, широко используемыми в современной электронике. Они обладают, среди прочего, сверхпроводимостью и высокой подвижностью носителей заряда, а также магнетизмом, что ранее считалось взаимоисключающими свойствами. Ученые смогли преодолеть технологический барьер, создавая монокристаллические пленки слоистых структур.

Специалисты считают, что разработанные материалы могут значительно расширить возможности при создании устройств наноэлектроники. Они могут служить основой для новых устройств в области наноэлектроники и спинтроники. Проект был поддержан грантом Российского научного фонда (РНФ), а результаты работы были опубликованы в журналах Small и Journal of Materials Science & Technology? пишет Смотрим.